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聚焦离子束FIB详细介绍 来源:仪准科技（北京）有限公司日期:作者:仪准科技聚焦离子束FIB详细介绍 主要用途 芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。

失效分析是一门发展中的新兴学科近年开始从军工向普通企业普及它一般根据失效模式和现象通过分析和验证模拟重现失效的现象找出失效的原因挖掘出失效的机理的活动在提高产品质量技术开发、改进产品修复及仲组合秤裁失效事故等方面具有很强的实际意义其方法分为有损分析无损分析物理分析化学分析等

仪准科技失效分析

失效分析在提高产品质量技术开发、改进产品修复及仲裁失效事故等方面具有很强的实际意义是根据失效模式和现象通过分析和验证模拟重现失效的现象找出失效的原因挖掘出失效的机理的活动

中化所根据多年经验总结其方法分为有损分析无损分析物理分析化学分析等 其领域成辘骨机分检测

漏电微光显微镜分析仪

主要用途

当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。

性能参数

a)InGaAs检测器分辨率：320*256 像素；

b)侦测波长范围900nm - 1700nm

c)像下面为您从制造规范、改变相干术语、和产品简介3个方面简单引见微机控制改变实验机的相干信息素尺寸：30m x 30m

d)曝光时间 20ms - 400s

e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x

f)Back side EMMI  

应用范围

 1.P-N接面漏电

 2.饱和区晶体管的热电子

 3.P-N接面崩溃

 4.闩锁效应

 5.氧化层漏电流产生的光子激发

聚焦离子束FIB详细介绍 

主要用途

芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。  

性能参数

a)着陆电压范围 - 电子束：350V~30kV

                - 离子束：500V~30kV

b)最小分辨率 - 电子束：0.8nm，30kV

              - 离子束：2.5nm，30kV

c)全新的差分抽取及TOF校正功能可实现更高分辨率的离子束成像、磨削和沉积  

应用范围

1.定点切割

2.穿透式电子显微镜试片

线路修补和布局验证

4.制程上异常观察分析

5.晶相特性观察分析

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